Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C$_2$F$_5$Cl

А. И. Охапкин, С. А. Краев, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, М. В. Зорина

Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Представлены четыре различных метода обработки поверхности арсенида галлия после травления в плазме хлорпентафторэтана (C$_2$F$_5$Cl). Исследованы стехиометрия верхнего слоя, шероховатость, наличие загрязнений. Наиболее оптимальным из представленных методов является комбинация ex situ травления в водородной плазме с последующим снятием верхнего слоя посредством жидкостного травления в NH$_4$OH/H$_2$O$_2$/H$_2$O. Данным способом возможно удалять загрязнения как с самой поверхности, так и с боковых стенок профиля травления с уровнем шероховатости, пригодным для дальнейшего проведения процессов эпитаксиального роста.

Ключевые слова: хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, арсенид галлия, поверхность.

Поступила в редакцию: 14.04.2023
Исправленный вариант: 20.07.2023
Принята в печать: 14.08.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56272.19593

Реферативные базы данных:

•