Смена направления обхода петли на высокочастотных вольт-фарадных характеристиках при критическом значении смещающего напряжения, диэлектрические свойства и эффекты памяти в гетероструктуре Sr$_{0.6}$Ba$_{0.4}$Nb$_2$O$_6$/SrTiO$_3$/Si(001)

А. В. Павленко

Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Методом высокочастотного катодного распыления на подложке Si(001) с предварительно осажденным подслоем SrTiO$_3$ (STO) выращена $c$-ориентированная пленка ниобата бария-стронция состава Sr$_{0.6}$Ba$_{0.4}$Nb$_2$O$_6$ (SBN60) толщиной 600 nm. Показано, что пленка относится к сегнетоэлектрикам-релаксорам. При анализе высокочастотных вольт-фарадных характеристик гетероструктуры SBN60/STO/Si(001) при $U$ = 0–24 V установлена критическая величина электрического напряжения ($\sim$10 V), в окрестности которой наблюдалось изменение направления обхода петли $C(U)$. Показано, что это может быть связано с увеличением роли по мере роста амплитуды $U$ встроенного заряда, образующегося на границе раздела пленки и подложки, на фоне переключения сегнетоэлектрической поляризации в пленке SBN60. Обсуждаются причины выявленных закономерностей и их роль при изучении эффектов памяти в гетероструктуре SBN60/STO/Si(001).

Ключевые слова: ниобат бария-стронция (SBN), структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник, тонкие пленки.

Поступила в редакцию: 14.06.2023
Исправленный вариант: 28.07.2023
Принята в печать: 31.07.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56265.19652

Реферативные базы данных:

•