Влияние ионного облучения и стабилизирующего отжига на критические токи тонкопленочного сверхпроводящего NbN

К. Е. Приходько^ab, Г. Ю. Голубев<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрено влияние смешанного ионного облучения на критические токи тонкопленочного нитрида ниобия (NbN). Получены вольт-амперные характеристики образцов размером 20 $\times$ 20 $\mu$m (толщина 5.5 nm) после облучения смешанным ионным пучком с энергией 1 keV, состоящим из протонов с 1% кислорода, до различных флюенсов. Оценено влияние облучения и стабилизирующего отжига при 200$^\circ$C в течение часа на критические токи сверхпроводящего перехода.

Ключевые слова: нитрид ниобия, ионное облучение, сверхпроводники, тонкие пленки.

Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 19.06.2023
Принята в печать: 28.06.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.17.56079.19621

Реферативные базы данных:

•