Ширина запрещенной зоны диоксида кремния нанометровых толщин

Т. А. Хачатурова, В. Г. Бутько, А. А. Гусев

Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, Донецк, ДНР, Россия

Аннотация: Исследована зависимость ширины запрещенной зоны от толщины сверхтонких пленок диоксида кремния на основании ab initio расчетов. Показано, что величина запрещенной зоны для сверхтонких пленок меньше ее значений для объемных кристаллов и возрастает с ростом толщины. Для этого рассчитаны параметры зонной структуры тетрагональной модификации диоксида кремния (стишовита) при толщинах пленки от 0.3 до 3.68 nm. Установлено, что условие минимизации токов утечки требует дополнительного анализа, поскольку выполняется не для всех толщин оксидных диэлектриков.

Ключевые слова: ширина запрещенной зоны, диоксид кремния, high-K диэлектрики, сверхтонкие пленки.

Поступила в редакцию: 24.03.2023
Исправленный вариант: 25.05.2023
Принята в печать: 26.05.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.15.55859.19564

Реферативные базы данных:

•