Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 2023, том 49, выпуск 15,страницы 3

Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si

Л. К. Марков^a, С. А. Кукушкин^b, А. С. Павлюченко^a, И. П. Смирнова^a, А. В. Сахаров^a, А. Е. Николаев^a, А. С. Гращенко^b, А. В. Осипов^b, А. Ф. Цацульников^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты изготовления flip-chip-светодиодов с удаленной подложкой на основе гетероструктур AlInGaN, выращенных на подложках SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов. Показано, что использованные подложки SiС/Si являются оптимальными с точки зрения согласования параметров решетки, теплопроводности и оптических характеристик материала при низкой себестоимости. При этом упрощается процедура резки пластин на отдельные чипы и удаления непрозрачной кремниевой части подложки, а остающаяся на поверхности чипа прозрачная часть подложки (SiC) создает рельеф, облегчающий вывод света.

Ключевые слова: тонкопленочные светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, AlInGaN-гетероструктуры, SiC/Si.

Поступила в редакцию: 04.05.2023
Исправленный вариант: 18.05.2023
Принята в печать: 18.05.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.15.55855.19616