С. А. Кукушкин, Л. К. Марков, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Черняков, С. И. Павлов, “Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 2023, том 49, выпуск 14,страницы 19

Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур

С. А. Кукушкин^a, Л. К. Марков^b, А. В. Осипов^a, Г. В. Святец^c, А. Е. Черняков^d, С. И. Павлов^b

^a Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
^d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Экспериментально исследованы тепловые характеристики образцов SiC/Si, полученных методом согласованного замещения атомов, при различных толщинах SiC. Установлено, что при толщинах SiC, меньших 200 nm, тепловое сопротивление SiC/Si примерно равно 2 K/W, что совпадает с величиной для чистой подложки кремния. Такие образцы будут прекрасно отводить тепло от светоизлучающей гетероструктуры, выращенной на SiC/Si. При увеличении толщины SiC происходит отслоение пленки SiC, что приводит к потере теплового контакта между SiC и Si. Тепловое сопротивление возрастает при этом более чем на два порядка. Возможность легкого удаления непрозрачной части подложки может лечь в основу технологии изготовления светодиодных чипов flip-chip-конструкции.

Ключевые слова: светодиоды, карбид кремния на кремнии, III–V гетероструктуры, тепловое сопротивление.

Поступила в редакцию: 07.04.2023
Исправленный вариант: 17.05.2023
Принята в печать: 17.05.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.14.55820.19584