Определение стехиометрии покрытий AlN радиоактивацией сгустками коллективно ускоренных дейтронов

В. А. Рыжков, М. В. Журавлев

Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия

Аннотация: Показано использование сгустков дейтронов (числом до 10$^{13}$ за выстрел), коллективно ускоренных в диоде Люса до средней энергии 1200 $\pm$ 200 keV, для радиоактивационного определения стехиометрии покрытий AlN с известной толщиной. В каждом выстреле энергия дейтронов определялась измерением скорости дрейфа виртуального катода, коллективно ускоряющего сгустки дейтронов, а стехиометрия покрытия определялась с точностью не хуже $\pm$ 5% по соотношению активностей радионуклидов $^{28}$Al/$^{15}$O, индуцированных в ядерных реакциях $^{27}$Al$(d,p)$ $^{28}$Al и $^{14}$N$(d,n)$ $^{15}$O соответственно.

Ключевые слова: коллективное ускорение ионов, виртуальный катод, радиоактивационный анализ, стехиометрия, покрытие.

Поступила в редакцию: 30.01.2023
Исправленный вариант: 15.05.2023
Принята в печать: 16.05.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.13.55736.19515

Реферативные базы данных:

•