Влияние кинетики атомных ступеней на рост многокомпонентных кристаллов в условиях повышенных пересыщений

А. В. Редьков, С. А. Кукушкин

Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследован процесс роста многокомпонентного кристалла при повышенных пересыщениях в случаях, когда классическое приближение о неподвижности атомных ступеней становится некорректным. Выведены аналитические выражения, описывающие скорость движения ансамбля ступеней на кристаллической поверхности, а также скорость роста кристалла по слоистому и слоисто-спиральному механизмам. Результаты могут быть использованы для оптимизации процессов роста как объемных кристаллов, так и толстых эпитаксиальных пленок различных многокомпонентных соединений, в частности полупроводниковых соединений групп A$_3$B$_5$ и A$_2$B$_6$.

Ключевые слова: теория роста кристаллов, атомные ступени, скорость роста, многокомпонентный кристалл, эпитаксия, полупроводники.

Поступила в редакцию: 28.03.2023
Исправленный вариант: 03.05.2023
Принята в печать: 11.05.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.13.55735.19570

Реферативные базы данных:

•