Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III–V с учетом потока реэмиссии

В. Г. Дубровский

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Получено уравнение роста наномембран полупроводниковых соединений III–V на подложках с одномерными массивами полосков в оксидной маске с учетом потока реэмиссии элемента группы III. Показано, что высота наномембран увеличивается с увеличением расстояния между ними и уменьшением ширины мембран. Кинетика роста наномембран на маскированных подложках и их морфология сильно отличаются от случая адсорбирующих подложек, что необходимо учитывать при проведении ростовых экспериментов.

Ключевые слова: полупроводниковые соединения III–V, наномембраны, поток реэмиссии, скорость роста, моделирование.

Поступила в редакцию: 12.04.2023
Исправленный вариант: 05.05.2023
Принята в печать: 05.05.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.13.55732.19590

Реферативные базы данных:

•