Стабилизация сверхпроводниковых защитных резисторов посредством сетчатой электрической изоляции

В. А. Мальгинов^a, Л. С. Флейшман<sup>b

a</sup> Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
^b Российский государственный геологоразведочный университет, Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрена возможность применения высокотемпературных сверхпроводников второго поколения в защитных резисторах (ВТСП-резисторах) для электрооборудования. Предложено использовать в ВТСП-резисторах сетчатую стекловолоконную электрическую изоляцию для обеспечения эффективности теплоотвода и поддержания стабильного перегруженного режима. Выполнено физическое моделирование таких резисторов, которое показало сохранение их перегрузочной способности и подавление тепловых неустойчивостей благодаря наличию сетчатой изоляции.

Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, защитный резистор, сетчатая изоляция, хладагент, резистивное состояние, тепловой срыв.

Поступила в редакцию: 05.04.2023
Исправленный вариант: 21.04.2023
Принята в печать: 22.04.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.12.55567.19579

Реферативные базы данных:

•