Исследование методом спектроскопии поглощения рентгеновских лучей структуры наночастиц Zn в матрице Si после облучения быстрыми ионами Хе

Е. В. Храмов^a, В. В. Привезенцев^b, В. С. Куликаускас<sup>c

a</sup> Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
^b Научно-исследовательский институт системных исследований РАН, Москва, Россия
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия

Аннотация: Методом спектроскопии поглощения рентгеновских лучей на $K$-крае Zn исследуется изменение структуры наночастиц Zn в матрице Si после облучения быстрыми ионами Хе. По данным XANES в образцах с разными флюенсами Хе цинк имеет сходное локальное окружение и находится в металлической фазе. По данным EXAFS интенсивный пик фурье-трансформант находится в диапазоне 2–3 $\mathring{\mathrm{A}}$. После облучения Хе интенсивность этого пика снижается по сравнению с таковой в случае имплантированного образца, что указывает на очень сильное разупорядочение локальной структуры, характерное для наночастиц с размером менее 5 nm.

Ключевые слова: кремний, имплантация Zn, облучение быстрыми тяжелыми ионами, наночастицы, XANES, EXAFS.

Поступила в редакцию: 08.11.2022
Исправленный вариант: 29.03.2023
Принята в печать: 03.04.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.12.55564.19418

Реферативные базы данных:

•