Низкочастотные шумы и сопротивление фотодиодов с незащищенной поверхностью на основе InAsSbP/InAs в атмосфере паров этанола

М. Е. Левинштейн^a, Б. А. Матвеев^a, N. D'yakonova<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier II, Montpellier, France

Аннотация: Исследованы электрические и низкочастотные шумовые характеристики одиночных фотодиодных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, выращенных на подложках $n^+$-InAs и помещенных в атмосферу, содержащую пары этанола. Выявлены взаимосвязи значения сопротивления гетероструктур и спектральной плотности токового шума с насыщенностью воздуха парами этанола и рассмотрены возможные причины такой взаимосвязи.

Ключевые слова: InAs-фотодиоды, датчики углеводородов, низкочастотный шум, природный окисел на поверхности InAs, поверхностно-чувствительные структуры.

Поступила в редакцию: 08.02.2023
Исправленный вариант: 06.04.2023
Принята в печать: 11.04.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.11.55533.19524

Реферативные базы данных:

•