Т. Т. Кондратенко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, “Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений”, Письма в ЖТФ, 2023, том 49, выпуск 11,страницы 3

Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

Т. Т. Кондратенко^a, А. С. Гращенко^bc, А. В. Осипов^c, А. В. Редьков^cb, Е. В. Убыйвовк^c, Ш. Ш. Шарофидинов^d, С. А. Кукушкин^bc

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
^b Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена методика формирования эпитаксиальных пленок карбида кремния, нитридов галлия и алюминия на поверхности изделий из кремния непланарной геометрии. С ее помощью на поверхности кремниевого кольца выращена гетероструктура GaN/AlN/SiC/Si. Образцы изучены методами сканирующей электронной микроскопии, а также рамановской и энергодисперсионной спектроскопии. Показано, что предварительное нанесение на кремний слоя SiC методом замещения атомов, при котором независимо от локальной кристаллографической ориентации поверхности подложки неизбежно формируются фасетки из граней (111), позволяет эффективно осуществлять рост последующих слоев III-нитридов как вюрцитного, так и сфалеритного типа на кремниевых изделиях.

Ключевые слова: GaN, AlN, SiC, кремний, метод замещения атомов, МЭМС.

Поступила в редакцию: 15.03.2023
Исправленный вариант: 15.03.2023
Принята в печать: 03.04.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.11.55529.19555