Тонкие монокристаллические слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии

В. И. Николаев^a, Р. Б. Тимашов^a, А. И. Степанов^a, С. И. Степанов^b, А. В. Чикиряка^a, М. П. Щеглов^a, А. Я. Поляков<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия

Аннотация: Проведен синтез монокристаллического слоя $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ на подложке сапфира базисной ориентации в лабораторном реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии. Изучено влияние температуры роста слоя в диапазоне 700–850$^\circ$C на его структурное качество по данным рентгеновской дифракции. При температуре 800$^\circ$C в зоне подложки получены сплошные слои толщиной около 1 $\mu$m, прозрачные в видимой области, со слегка зеленоватым оттенком, сохраняющие некоторое пропускание света вплоть до длин волн $\sim$350 nm. Полуширина на полувысоте рентгеновской кривой качания $\omega$-сканирования для отражения 0006 составила $\sim$300 arcsec.

Ключевые слова: оксид хрома, CVD-эпитаксия, широкозонный полупроводник.

Поступила в редакцию: 07.03.2023
Исправленный вариант: 07.03.2023
Принята в печать: 28.03.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.10.55434.19549

Реферативные базы данных:

•