Исследование явления токопрохождения в кристаллах EuGa$_2$S$_4$:Er$^{3+}$

О. Б. Тагиев^ab, Ф. А. Казымова^a, Г. С. Гаджиева^a, Т. Ш. Ибрагимова^a, Е. Г. Асадов^a, К. О. Тагиев<sup>c

a</sup> Институт физики Министерства науки и образования Азербайджана, Баку, Азербайджан
^b Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова в г. Баку, Баку, Азербайджан
^c Integrated Energy Company, Баку, Азербайджан

Аннотация: Приводятся результаты исследования статических вольт-амперных характеристик кристаллов EuGa$_2$S$_4$:Er$^{3+}$ при комнатный температуре. Выявлен механизм токопрохождения в них. Вычислены высота потенциального барьера на границе металл-полупроводник ($\Phi\approx$ 0.9 eV), относительная диэлектрическая проницаемость кристаллов ($\varepsilon$ = 3.1), концентрация ловушек ($N\approx$ 7.14 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-3}$). Определена форма потенциальной ямы для захваченных ловушками электронов.

Ключевые слова: вольт-амперная характеристика, кристалл, контакт металл-полупроводник, высота потенциального барьера, эрбий.

Поступила в редакцию: 01.02.2023
Исправленный вариант: 22.02.2023
Принята в печать: 28.02.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.10.55424.19517

Реферативные базы данных:

•