Влияние состояния рабочей поверхности гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения на его быстродействие

И. А. Барыков^ab, А. В. Буташин^c, В. И. Зайцев^a, А. Э. Муслимов^c, И. А. Тараканов^d, А. М. Исмаилов^e, В. А. Федоров^c, В. М. Каневский<sup>c

a</sup> Государственный научный центр РФ Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований, Троицк, Москва, Россия
^b Российский университет дружбы народов имени Патриса Лумумбы, Москва, Россия
^c Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук, Москва, Россия
^d Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша Российской академии наук, Москва, Россия
^e Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия

Аннотация: Предложена новая конструкция гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения, представляющая собой плоский электрический конденсатор с окном в одной металлической обкладке и твердым диэлектриком из монокристаллического сапфира толщиной 200–300 $\mu$m внутри. Установлено влияние шероховатости поверхности диэлектрика (сапфира) в области окна на гальваническое линейное детектирование рентгеновского излучения. Испытания показали, что при сверхгладкой полировке рабочей поверхности пластины из сапфира в области окна до шероховатости $R_q\le$ 0.2 nm можно обеспечить возможность гальванического линейного детектирования рентгеновского излучения с энергией в диапазоне 0.1–1 keV и плотностью мощности 1–2 MW $\cdot$ cm$^{-2}$ со временем срабатывания датчика около 8 ns. Датчики такого типа могут найти применение в исследованиях процессов инерциального термоядерного синтеза.

Ключевые слова: рентгеновское излучение, гальванический датчик, сапфир, диэлектрик, плоский конденсатор.

Поступила в редакцию: 12.12.2022
Исправленный вариант: 01.03.2023
Принята в печать: 01.03.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.09.55319.19461

Реферативные базы данных:

•