Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III–V

В. Г. Дубровский

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы лимитирующие факторы скорости роста ступени при эпитаксии полупроводниковых соединений III–V. Модель, основанная на двух связанных диффузионных уравнениях для адатомов групп III и V, применима для исследования как планарных слоев, так и наноструктур различного типа (включая III–V нитевидные нанокристаллы). Получено выражение для скорости роста ступени и найден физический параметр, значение которого определяет лимитированные кинетикой элементов группы III или V режимы роста.

Ключевые слова: полупроводниковые соединения III–V, поверхностная диффузия адатомов, десорбция, скорость роста ступени.

Поступила в редакцию: 25.01.2023
Исправленный вариант: 21.02.2023
Принята в печать: 21.02.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.08.55137.19512

Реферативные базы данных:

•