Эта публикация цитируется в 1 статье

Создание антиотражающего покрытия для оптического диапазона на основе слоя нанопористого германия, сформированного имплантацией ионами индия

А. Л. Степанов, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, Д. А. Коновалов, А. М. Рогов

Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН, Казань, Россия

Аннотация: Исследована возможность использования слоя нанопористого Ge, сформированного имплантацией ионами $^{115}$In$^+$ на подложке монокристаллического $c$-Ge, в качестве антиотражающего оптического покрытия (In:$P$Ge). Для этого была проведена ионная имплантация пластин $c$-Ge при энергии $E$ = 30 keV, плотности тока в ионном пучке $J$ = 5 $\mu$A/cm$^2$ и дозе $D$ = 1.8 $\cdot$ 10$^{16}$ ion/cm$^2$. Показано, что полученный губчатый слой In:$P$Ge, состоящий из переплетающихся нанонитей Ge, характеризуется низкой отражательной способностью ($\sim$5%) в широком оптическом спектральном диапазоне 250–1050 nm.

Ключевые слова: нанопористый германий, ионная имплантация, антиотражающее оптическое покрытие.

Поступила в редакцию: 19.12.2022
Исправленный вариант: 07.02.2023
Принята в печать: 08.02.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.08.55129.19466

Реферативные базы данных:

•