Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm

С. А. Минтаиров, А. В. Малевская, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изготовлены оптимизированные фотопреобразователи на основе гетероструктур GaInP/GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии, для работы с лазерным излучением высокой мощности зелено-красного спектрального диапазона. Для формирования лицевой контактной сетки приборов исследованы контактные системы Au(Ge)/Ni/Au и Pd/Ge/Au. В результате фотопреобразователь лазерной линии с длиной волны 600 nm с Pd/Ge/Au-контактом демонстрировал КПД более 50% вплоть до плотности мощности падающего излучения 30 W/cm$^2$ с максимальным значением 54.4% при 7 W/cm$^2$.

Ключевые слова: фотопреобразователь, лазерное излучение, металлоорганическая газофазная эпитаксия (МОСГФЭ), КПД, спектральная чувствительность.

Поступила в редакцию: 09.12.2022
Исправленный вариант: 11.01.2023
Принята в печать: 11.01.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.06.54814.19458

Реферативные базы данных:

•