А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. С. Гудовских, “Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 2023, том 49, выпуск 6,страницы 16

Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии

А. И. Баранов^ab, А. В. Уваров^ab, А. А. Максимова^ab, Е. А. Вячеславова^ab, Н. А. Калюжный^c, С. А. Минтаиров^c, Р. А. Салий^c, Г. Е. Яковлев^b, В. И. Зубков^b, А. С. Гудовских^ab

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучалась структура с одиночной квантовой ямой GaP/InP/GaP толщиной 5 nm, выращенная методом газофазной эпитаксии на подложке $n$-GaP. Методом вольт-фарадных характеристик на изготовленных диодах Шоттки и методом электрохимического вольт-фарадного профилирования зарегистрирована аккумуляция электронов в квантово-размерном слое InP. Данные, полученные с помощью спектроскопии полной проводимости и нестационарной спектроскопии глубоких уровней, показали, что формирование квантовой ямы приводит к повышенному образованию дефектов в верхних слоях GaP c энергиями 0.21, 0.30 и 0.93 eV ниже дна зоны проводимости.

Ключевые слова: квантовая яма, вольт-фарадное профилирование, электрохимическое профилирование.

Поступила в редакцию: 25.10.2022
Исправленный вариант: 10.01.2023
Принята в печать: 10.01.2023

DOI: 10.21883/PJTF.2023.06.54810.19404