Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

В. О. Гридчин^abc, И. П. Сошников^bcd, Р. Р. Резник^a, С. Д. Комаров^e, Е. В. Пирогов^b, В. В. Лендяшова^abd, К. П. Котляр^abc, Н. В. Крыжановская^e, Г. Э. Цырлин<sup>abcd

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^e Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)

Аннотация: Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза.

Ключевые слова: InGaN, кремний, наноструктуры, фотолюминесценция, структурные свойства, оптические свойства, молекулярно-пучковая эпитаксия, плазма азота.

Поступила в редакцию: 06.12.2022
Исправленный вариант: 26.12.2022
Принята в печать: 27.12.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2023.05.54668.19452

Реферативные базы данных:

•