Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001)

М. С. Аксенов^ab, В. А. Голяшов^ab, О. Е. Терещенко<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: Показано, что фторсодержащие анодные слои на поверхности $n$-InAs(001) в отличие от анодных слоев без фтора формируют границу раздела с открепленным уровнем Ферми, плотность состояний на которой вблизи середины запрещенной зоны составляет $\sim$10$^{11}$ eV$^{-1}$ $\cdot$ cm$^{-2}$ (78 K). Изучение химического состава показало, что уменьшение плотности состояний связано с образованием оксифторидов индия и мышьяка вблизи границы раздела.

Ключевые слова: InAs, МДП-структура, фтор, анодный слой, интерфейсные состояния.

Поступила в редакцию: 07.11.2022
Исправленный вариант: 15.12.2022
Принята в печать: 20.12.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2023.05.54661.19413

Реферативные базы данных:

•