Деградационные процессы в мемристоре на основе селенида германия с самоформирующимся токопроводящим каналом

А. Н. Алёшин, О. А. Рубан

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Изучено влияние температуры на деградационные процессы в мемристоре ионного типа Ag/SnSe/Ge$_2$Se$_3$/W с самоформирующимся токопроводящим каналом в интервале 22–65$^\circ$C при частоте переключения 100 Hz на основе определения электропроводности мемристора в низкоомном и высокоомном режимах работы. Установлено, что при повышенных температурах деградационные процессы происходят быстрее и затрагивают как низкоомный, так и высокоомный режим работы мемристора. Определена энергия активации деградации, равная 1.16 eV.

Ключевые слова: электропроводность, твердый электролит, деградация, токопроводящий канал.

Поступила в редакцию: 10.11.2022
Исправленный вариант: 10.11.2022
Принята в печать: 16.12.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2023.04.54526.19423

Реферативные базы данных:

•