Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива

Е. А. Емельянов^a, Т. А. Дель^b, М. О. Петрушков^a, А. Г. Настовьяк^a, А. А. Спирина^a, Т. А. Гаврилова^a, Б. Р. Семягин^a, А. В. Васев^a, М. А. Путято^a, В. В. Преображенский<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: На подложках GaAs(001) выращены структуры с массивами планарных и наклонных квазиодномерных нанокристаллов GaAs. В качестве пассивирующего покрытия использовался эпитаксиальный слой кремния, окисленный на воздухе. Нанокристаллы сформированы методом самокаталитического роста в системе пар–жидкость–кристалл из потоков атомов Ga и молекул As$_4$. Количество осаждаемого кремния менялось от структуры к структуре и было эквивалентно 1, 2, 4 и 6 атомным слоям. Обнаружено, что в случае пассивирующего слоя на основе кремния толщиной 1 атомный слой образуется массив планарных, а в остальных случаях – наклонных квазиодномерных нанокристаллов. Нанокристаллы окружены кристаллитами, форма, размеры, ориентация и плотность распределения которых меняются с изменением количества кремния. Наименьшая плотность кристаллитов достигнута при слое кремния толщиной 6 атомных слоев.

Ключевые слова: GaAs, Si, квазиодномерные нанокристаллы, молекулярно-лучевая эпитаксия, пар–жидкость–кристалл.

Поступила в редакцию: 05.08.2022
Исправленный вариант: 05.12.2022
Принята в печать: 05.12.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2023.03.54465.19334

Реферативные базы данных:

•