Эта публикация цитируется в 1 статье

Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон

А. Э. Климов^ab, И. О. Ахундов^b, В. А. Голяшов^cb, Д. В. Горшков^b, Д. В. Ищенко^b, Г. Ю. Сидоров^b, Н. С. Пащин^b, С. П. Супрун^b, А. С. Тарасов^b, Е. В. Федосенко^b, О. Е. Терещенко<sup>cb

a</sup> Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^c Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: На основе пленки PbSnTe:In/(111)BaF$_2$ впервые создан макет полевого транзистора со структурой металл–диэлектрик–полупроводник (МДП-транзистора) c подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$. При $T$ = 4.2 K под действием затворного напряжения -7.7 $<U_{gate}<$ +7.7 V относительное изменение тока сток–исток $\Delta I_{ds}/I_{ds}$ достигало $\sim$ 5 раз. При освещении малыми ($\sim$ 100 photon/s) потоками обнаружена отрицательная фотопроводимость с уменьшением $I_{ds}$ до $\sim$ 10$^4$ раз с одновременным уменьшением $\Delta I_{ds}$ до $\sim$ 10$^3$ раз и более. Оценка обнаружительной способности дала $\sim$ 7 $\cdot$ 10$^{16}$ cm $\cdot$ Hz$^{0.5}$ $\cdot$ W$^{-1}$ на длине волны $\lambda\sim$ 25 $\mu$m при времени накопления $\sim$ 0.5 s. Обсуждается качественная модель, предполагающая существование глубоких уровней ловушек и фотоемкостного эффекта.

Ключевые слова: эпитаксиальные пленки, PbSnTe:In, МДП-транзистор, отрицательная фотопроводимость, приемник излучения.

Поступила в редакцию: 14.11.2022
Исправленный вариант: 14.11.2022
Принята в печать: 30.11.2022

DOI: 10.21883/pjtf.2023.03.54461.19426

Реферативные базы данных:

•