Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к $n$-GaAs на ее электрические характеристики

А. В. Малевская, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Н. С. Потапович

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнены исследования влияния режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au на величину удельного переходного контактного сопротивления к слою GaAs $n$-типа проводимости. Исследовано влияние способа обработки поверхности образцов перед напылением слоев и режимов термического отжига в атмосфере H$_2$, N$_2$ и Ar на параметры контактной системы. Достигнуты значения удельного переходного контактного сопротивления $(2-3)\cdot10^{-6}\Omega$ $\cdot$ cm$^2$ при пониженной до 190$^\circ$C температуре вжигания.

Ключевые слова: Pd/Ge/Au, $n$-GaAs, обработка поверхности, термический отжиг.

Поступила в редакцию: 31.10.2022
Исправленный вариант: 23.11.2022
Принята в печать: 24.11.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2023.03.54459.19409

Реферативные базы данных:

•