Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами

Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, И. Н. Антонов, А. В. Круглов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследованы электрические характеристики лабораторных макетов мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ag- и Ru-электродами. Мемристоры с Ru-электродами демонстрируют меньшее напряжение электроформовки и большее отношение токов в состояниях с низким и высоким значениями сопротивления по сравнению с мемристорами с Ag-электродами. Также в мемристорах с Ru-электродами обнаружена инверсия полярности резистивного переключения. Указанные эффекты обусловлены большей подвижностью ионов Ru$^{3+}$ в прорастающих дислокациях в слоях $p$-Si/$p$-Ge вследствие их меньшего ионного радиуса.

Ключевые слова: мемристор, эпитаксиальные слои SiGe, резистивное переключение.

Поступила в редакцию: 15.09.2022
Исправленный вариант: 22.10.2022
Принята в печать: 23.10.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2023.01.54048.19367

Реферативные базы данных:

•