Международная конференция ФизикА.СПб/2024

Синтез пленок полутораокиси ванадия для защиты лент высокотемпературных сверхпроводников

О. Я. Березина^a, В. С. Игнахин^a, В. В. Путролайнен^a, И. В. Секирин^a, О. В. Спирин^a, Е. П. Красноперов<sup>b

a</sup> Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия

Аннотация: Получены тонкие (1–15 $\mu$m) покрытия V$_2$O$_3$ на проводящих подложках V и Cu для включения их в состав сверхпроводящей ленты в качестве защитного слоя. Покрытия синтезировались способами термического окисления лент металлического ванадия (чистота 99.5%) и электрохимического осаждения из раствора ванадата натрия на подложки из меди. Исследованы структура и фазовый состав пленок, полученных при различных условиях синтеза. Для пленок, полученных способом термического окисления, определены температурные изменения электрического сопротивления в диапазоне от 77 до 300 K.

Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, моттовский изолятор, переход металл-изолятор, полутораокись ванадия.

Поступила в редакцию: 03.05.2024
Исправленный вариант: 27.06.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.24.59430.6548k

Реферативные базы данных:

•