Спектральные характеристики оптически связанной пары полосковых лазеров на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs

Ф. И. Зубов^a, Ю. М. Шерняков^b, О. И. Симчук^a, Г. О. Корнышов^b, М. В. Максимов<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние дополнительной оптической накачки на двухуровневую генерацию лазера на основе квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs. Накачка осуществлялась при помощи второго лазера на квантовых точках, смонтированного встык. Показано, что дополнительная оптическая инжекция на длине волны основного состояния способна переключать режимы двухуровневой генерации, а именно запускать генерацию в возбужденном состоянии или, наоборот, гасить ее в зависимости от комбинации токов через каждый из приборов.

Ключевые слова: лазерные диоды, квантовые точки, двухуровневая генерация, оптические нейроны.

Поступила в редакцию: 03.07.2024
Исправленный вариант: 14.08.2024
Принята в печать: 15.08.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.22.59138.20049

Реферативные базы данных:

•