М. А. Смирнова, К. Н. Лобзов, В. И. Бачурин, Л. А. Мазалецкий, Д. Э. Пухов, А. Б. Чурилов, “Особенности угловой зависимости коэффициента распыления германия фокусированным ионным пучком галлия”, Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 22,страницы 21

Особенности угловой зависимости коэффициента распыления германия фокусированным ионным пучком галлия

М. А. Смирнова^ab, К. Н. Лобзов^ab, В. И. Бачурин^b, Л. А. Мазалецкий^ab, Д. Э. Пухов^b, А. Б. Чурилов^b

^a Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, Ярославль, Россия
^b Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия

Аннотация: Представлены угловые зависимости коэффициентов распыления Ge и Si фокусированным ионным пучком Ga$^+$ с энергией 30 keV. Сравнение экспериментальной угловой зависимости коэффициента распыления Ge с соответствующими данными моделирования в программе SDTrimSP выявило существенные различия. При углах падения ионов от 0 до 50$^\circ$ экспериментальные данные превышают расчетные, а при бóльших углах имеют более низкие значения, в то время как для Si эти зависимости хорошо согласуются. Особенности угловой зависимости коэффициента распыления Ge объясняются развитием и изменением топографии поверхности при наклонном падении ионов.

Ключевые слова: германий, ионная бомбардировка, коэффициент распыления, топография поверхности.

Поступила в редакцию: 26.04.2024
Исправленный вариант: 28.06.2024
Принята в печать: 18.07.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.22.59130.19975