Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb

С. В. Сорокина, А. В. Малевская, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние материала, толщины и условий формирования проводящего слоя контакта на морфологию токосборных шин, фактор заполнения вольт-амперных характеристик и эффективность фотоэлектрического преобразователя на основе антимонида галлия.

Ключевые слова: омический контакт, проводящий слой, электрохимическое осаждение, фотоэлектрический преобразователь.

Поступила в редакцию: 25.06.2024
Исправленный вариант: 25.06.2024
Принята в печать: 13.07.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.22.59127.20037

Реферативные базы данных:

•