П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке”, Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 21,страницы 39

Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке

П. А. Бохан^a, К. С. Журавлёв^a, Д. Э. Закревский^ab, Т. В. Малин^a, Н. В. Фатеев^ac

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
^c Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: Измерены коэффициенты оптического усиления в сильнолегированных слоях Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si при непрерывной накачке широкополосным излучением (190–330 nm) и комнатной температуре. Установлено, что при плотности мощности оптической накачки 3.2 mW/сm$^2$ значение коэффициента оптического усиления составляет 212 сm$^{-1}$, что хорошо совпадает с данными, полученными при импульсном возбуждении. Измеренное значение сечения излучательной рекомбинации при непрерывном оптическом возбуждении составляет $\sigma\approx$ 10$^{-15}$ сm$^2$.

Ключевые слова: сильнолегированные структуры Al$_x$Ga$_{1-x}$N, оптическое усиление, сечение излучательной рекомбинации.

Поступила в редакцию: 17.05.2024
Исправленный вариант: 09.07.2024
Принята в печать: 12.07.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.21.58958.19997