Аннотация:
Представлены результаты выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток InAs/GaSb второго рода на подложках GaSb для фотоприемников средневолнового и длинноволнового инфракрасного диапазона. Определены условия роста буферного слоя GaSb и сверхрешеток со связями In–Sb на гетерограницах. Показано, что небольшое содержание мышьяка в буферном слое незначительно влияет на структурное совершенство сверхрешеток, большее влияние оказывает толщина буферного слоя. Выбранные условия роста сверхрешеток позволили получать высокую повторяемость периодов. Измеренные толщины слоев сверхрешеток близки к толщинам, задаваемым при их росте. Формирование гетерограниц со связями In–Sb обеспечило хорошие оптические параметры сверхрешеток. Высокая воспроизводимость сверхрешеток дала возможность управляемо смещать длинноволновый край оптического поглощения от 5.6 до 9 $\mu$m, изменяя толщины слоев InAs и GaSb.
Полный текст:
PDF файл (561 kB)