К. А. Савин, А. В. Клековкин, И. И. Минаев, Г. Н. Ерошенко, В. С. Кривобок, Д. Е. Свиридов, А. Е. Гончаров, С. Н. Николаев, “Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb”, Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 19,страницы 33

Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb

К. А. Савин^a, А. В. Клековкин^a, И. И. Минаев^a, Г. Н. Ерошенко^a, В. С. Кривобок^ab, Д. Е. Свиридов^a, А. Е. Гончаров^b, С. Н. Николаев^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b АО "НПО "Орион", Москва, Россия

Аннотация: Продемонстрирован новый подход, позволяющий визуализировать электронную подсистему барьерно-диодных структур InSb/InAlSb, оценивать однородность слоя InAlSb, блокирующего основные носители в таких структурах, и определять высоту соответствующего потенциального барьера. Подход основан на измерении кремниевым зондом с алмазным покрытием сопротивления растекания на свежеприготовленном сколе (110) эпитаксиальной гетероструктуры.

Ключевые слова: микроскопия сопротивления растекания, молекулярно-пучковая эпитаксия, ИК-фотодетектор, InSb, барьерно-диодные гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 08.05.2024
Исправленный вариант: 08.05.2024
Принята в печать: 07.06.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.19.58654.19986