Радиационно-индуцированные эффекты в широкозонных диэлектриках

И. А. Барыков^ab, В. И. Зайцев^a, А. А. Карташов^a, А. А. Самохин^a, И. А. Тараканов^c, В. Е. Черковец<sup>a

a</sup> Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследовании, Москва, Троицк, Россия
^b Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
^c Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: Приводятся результаты исследований эмиссии электронов (фотоэффект) с широкозонного диэлектрика SiO$_2$ под действием электромагнитного излучения в диапазоне энергий квантов 10–1000 eV. Экспериментальные исследования проводились на установке Ангара-5-1. Показано, что взаимодействие излучения с поверхностью диэлектрика сопровождается электронной эмиссией с диэлектрика и возникновением в диэлектрике электрического поля. Описывается применяемая методика измерений. Экспериментально полученные результаты сравниваются с данными математического моделирования.

Ключевые слова: высокотемпературная плазма, рентгеновское излучение, диэлектрик, поверхность.

Поступила в редакцию: 02.05.2024
Исправленный вариант: 03.06.2024
Принята в печать: 05.06.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.19.58651.19980

Реферативные базы данных:

•