Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов

В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Н. А. Калюжный, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Приведены результаты разработки и исследования фотоприемного модуля на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs- фотодиодов при преобразовании лазерного излучения в фотовольтаическом (без обратного смещения) и фотодиодном (при обратном смещении до 120 V) режимах работы. Фотодиоды, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии, в фотовольтаическом режиме при возбуждении лазерным излучением на длине волны 810 nm с плотностью мощности $\sim$500 W/cm$^2$ обеспечивали КПД $\sim$54%. Максимальная выходная импульсная электрическая мощность фотоприемного модуля при возбуждении импульсным лазерным излучением с пиковой мощностью $\sim$13 W и длительностью $\sim$1.0 ns составила 2.5 W в фотовольтаическом режиме и 8.0 W в фотодиодном режиме при обратном смещении 120 V.

Ключевые слова: $p$–$i$–$n$-фотоприемный модуль, лазерное излучение, $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиоды, фотовольтаический режим, фотодиодный режим, МОС-гидридная эпитаксия, пиковая плотность мощности, длительность на полувысоте амплитуды.

Поступила в редакцию: 16.04.2024
Исправленный вариант: 28.05.2024
Принята в печать: 02.06.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.19.58647.19957

Реферативные базы данных:

•