Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Р. А. Салий, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, Д. А. Малевский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнены исследования технологии формирования тыльных отражателей для инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур с множественными квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Разработаны конструкции отражателей на основе многослойных систем, включающих слои диэлектрика (SiO$_2$), адгезионного материала (NiCr), металла с высокими зеркальными свойствами (Ag) и барьерные стоп-слои (Ti, Pt). Проведен анализ влияния состава отражателя на характеристики светоизлучающих диодов. Достигнуты значения внешней квантовой эффективности $>$ 45% при токе 100–350 mA и оптической мощности $>$ 450 mW при токе 800 mА.

Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, AlGaAs/GaAs-гетероструктура, многослойный отражатель.

Поступила в редакцию: 09.04.2024
Исправленный вариант: 23.05.2024
Принята в печать: 27.05.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.18.58625.19946

Реферативные базы данных:

•