Синтез эпитаксиальных пленок ZnO при комнатной температуре с высокими скоростями роста методом магнетронного распыления на постоянном токе

А. М. Исмаилов^a, Т. А. Гуйдалаева^a, А. Э. Муслимов^b, М. Р. Рабаданов^a, М. Х. Рабаданов<sup>a

a</sup> Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
^b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия

Аннотация: Методом магнетронного распыления керамической мишени ZnO на постоянном токе в среде кислорода на подложках сапфира получены эпитаксиальные пленки оксида цинка ((0001)ZnO||(11$\bar2$0)Al$_2$O$_3$) с рекордно высокой скоростью роста (7 nm/s) и низкой температурой эпитаксии (35$^\circ$С). Установлено, что для роста эпитаксиальных пленок ZnO необходимым условием является оптимальное местоположение подложки в области магнетронной плазмы, соответствующее значению плавающего потенциала на подложке 9–12 V.

Ключевые слова: ZnO, эпитаксиальные пленки, метод магнетронного распыления, скорость роста пленок, подложки сапфира.

Поступила в редакцию: 10.01.2024
Исправленный вариант: 28.04.2024
Принята в печать: 24.05.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.18.58622.19861

Реферативные базы данных:

•