Аннотация:
Приводятся результаты разработки и исследования высокоэффективных фотодетекторов лазерного излучения на основе гетероструктуры $p$–$i$–$n$-AlGaAs/GaAs с брэгговским отражателем, полученной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Разработанные универсальные фотодетекторы с диаметром фоточувствительной поверхности 70 $\mu$m обеспечили получение минимальной длительности импульса фотоответа на полувысоте амплитуды 135 ps в импульсном режиме при обратном смещении 25 V. В фотовольтаическом режиме (без обратного смещения) получена величина КПД 60% при мощности лазерного излучения $P_{las}$ = 37 mW на длине волны 850 nm.
Полный текст:
PDF файл (210 kB)