Особенности амплитуды случайного телеграфного шума в транзисторе металл–оксид–полупроводник на основе двумерного дисульфида молибдена

Х. Ш. Сапаров

Ургенчский государственный университет, Ургенч, Узбекистан

Аннотация: Проведено моделирование зависимости амплитуды случайного телеграфного шума (СТШ) от напряжения на затворе и положения единичного оксидного ловушечного заряда вдоль канала МОПТ (полевого транзистора с изолированным затвором металл–оксид–полупроводник) на основе двумерного дисульфида молибдена. Показано, что амплитуда СТШ возрастает при напряжениях на затворе, меньших порогового, а на зависимости амплитуды СТШ от положения единичного заряда вдоль канала наблюдается максимум, сдвинутый от центра канала. Такое поведение амплитуды СТШ объясняется наряду с зависимостью от напряжения на затворе ее существенной зависимостью также от напряжения на стоке.

Ключевые слова: двумерный дисульфид молибдена, случайный телеграфный шум, МОПТ, единичный оксидный ловушечный заряд.

Поступила в редакцию: 26.03.2024
Исправленный вариант: 30.04.2024
Принята в печать: 09.05.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.17.58575.19931

Реферативные базы данных:

•