Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии

Н. А. Калюжный^a, С. С. Кижаев^b, С. А. Минтаиров^a, А. А. Пивоварова^a, Р. А. Салий^a, А. В. Черняев<sup>bc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b ООО "Микросенсор Технолоджи", Санкт-Петербург, Россия
^c Военная академия связи им. С. М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Технология выращивания метаморфных буферных слоев InGaAs на подложках InP применена для создания фотоприемников с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m. Проведено сравнение оптических и электрических характеристик фотоприемников на основе метаморфной гетероструктуры InGaAs/InP и приборов на основе изопериодной системы GaInAsSb/GaSb. На приборную применимость разработанной технологии указывают высокая фоточувствительность и сопротивление фотодиодов при обратном смещении. Значения темновых токов коррелируют с низкой плотностью прорастающих дислокаций в активной области фотоприемников, которая оценивалась с помощью просвечивающей электронной микроскопии.

Ключевые слова: фотоприемник, InGaAs/InP, металлоорганическая газофазная эпитаксия, метаморфный слой, гетероструктура.

Поступила в редакцию: 22.04.2024
Исправленный вариант: 08.05.2024
Принята в печать: 08.05.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.17.58574.19966

Реферативные базы данных:

•