Падение внешней квантовой эффективности при охлаждении и плотности шума при нагревании в InGaN-ультрафиолетовых светодиодах

А. М. Иванов, А. В. Клочков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показано, что для промышленных ультрафиолетовых InGaN/GaN-светодиодов в температурном интервале от -74 до 84$^\circ$ C может происходить уменьшение плотности низкочастотного шума при нагревании и падение внешней квантовой эффективности при охлаждении. Наблюдаемые особенности экспериментальных зависимостей объяснены на основе физических механизмов транспорта носителей, в первую очередь туннелирования по дефектам и хвостам плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника.

Ключевые слова: низкочастотный шум, квантовая эффективность, транспорт носителей, скачковая туннельная проводимость.

Поступила в редакцию: 19.03.2024
Исправленный вариант: 03.05.2024
Принята в печать: 03.05.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.16.58536.19926

Реферативные базы данных:

•