Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения

А. С. Гудовских^ab, А. И. Баранов^a, А. В. Уваров^a, Е. А. Вячеславова^a, А. А. Максимова^ab, Е. В. Никитина^a, И. П. Сошников<sup>acd

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^d Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые сформированы AlP/Si-гетероструктуры с помощью метода комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения и проведены исследования их электронных свойств. Экспериментальная оценка разрыва зон проводимости $\Delta E_C$ на границе AlP/Si дает значение 0.35 $\pm$ 0.10 eV, которое существенно меньше разрыва валентных зон, что открывает возможность использования AlP в качестве электронного селективного контакта к Si для солнечных элементов.

Ключевые слова: фосфид алюминия, кремний, селективный контакт, солнечный элемент.

Поступила в редакцию: 28.03.2024
Исправленный вариант: 12.04.2024
Принята в печать: 22.04.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.16.58528.19935

Реферативные базы данных:

•