Аннотация:
Исследованы ориентационные зависимости коэффициентов электромеханической связи $k_{3j}^*$, параметров приема $(Q_{3j}^*)^2$ и факторов их анизотропии в 2–1–2-композитах при поворотах главных кристаллографических осей [011]-поляризованного сегнетоэлектрического кристалла и оснований сегнетокерамических стержней. Проанализировано выполнение условий большой анизотропии $|k_{33}^*/k_{3f}^*|\ge$ 5 и $(Q_{33}^*/Q_{3f}^*)^2\ge$ 10 с учетом двух мод вращения в композитах на основе одного из кристаллов:
0.935Pb(Zn$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_3$–0.065PbTiO$_3$ или 0.72Pb(Mg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_3$–0.28PbTiO$_3$. Результаты следует учитывать при создании высокоэффективных пьезоактивных композитов для преобразователей, сенсоров, акустических и энергосберегающих устройств.
Полный текст:
PDF файл (352 kB)