Кинетика инжекционного отжига гомо- и гетероструктур на основе GaAs, облученных гамма-квантами

В. С. Носовец^a, О. В. Ткачев^a, С. М. Дубровских^a, В. А. Пустоваров<sup>b

a</sup> Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е. И. Забабахина, г. Снежинск Челябинской обл.
^b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Аннотация: На основе измерений интенсивности электролюминесценции исследована кинетика инжекционного отжига радиационных дефектов в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs, облученных гамма-квантами $^{60}$Co. Сравнение результатов с литературными данными для GaAs-гомоструктур позволило обнаружить, что при переходе от гомоструктур к гетероструктурам на два-четыре порядка уменьшается плотность тока, необходимая для отжига радиационных дефектов, изменяется механизм аннигиляции дефектов. Результаты свидетельствуют о большей эффективности инжекционного отжига в приборах, содержащих квантово-размерные гетероструктуры.

Ключевые слова: инжекционный отжиг, рекомбинационно-стимулированный отжиг, радиационная стойкость, радиационные дефекты.

Поступила в редакцию: 19.02.2024
Исправленный вариант: 20.03.2024
Принята в печать: 23.03.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.13.58164.19899

Реферативные базы данных:

•