Формирование слоев GaAs с наночастицами Ag методом ионной имплантации

А. Л. Степанов, Д. А. Коновалов, А. М. Рогов

Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН, Казань, Россия

Аннотация: Исследована возможность создания композиционного материала на основе GaAs, содержащего наночастицы Ag, с помощью технологии ионной имплантации. Для этого проведено облучение слоев GaAs ионами Ag$^+$ c энергией $E$ = 30 keV при плотности тока в ионном пучке $J$ = 5 $\mu$A/cm$^2$ и дозе $D$ = 6.2 $\cdot$ 10$^{16}$ ion/cm$^2$. Для анализа полученного материала использованы методы электронной микроскопии и спектроскопии оптического отражения. Экспериментальные спектры сопоставлялись с расчетными зависимостями оптической экстинкции, полученными в рамках электромагнитной теории Ми. Установлено образование наночастиц Ag размером от 5 до 40 nm в слое GaAs, демонстрирующих эффекты плазмонного резонанса.

Ключевые слова: арсенид галлия, ионная имплантация, наночастицы серебра, плазмоника.

Поступила в редакцию: 12.02.2024
Исправленный вариант: 09.03.2024
Принята в печать: 09.03.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.12.58057.19889

Реферативные базы данных:

•