Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

А. А. Корякин^ab, Е. В. Убыйвовк^a, К. П. Котляр^abc, В. В. Лендяшова^ab, Р. Р. Резник^a, Г. Э. Цырлин<sup>abc

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования низкотемпературного роста нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100). Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии изучены морфология и структура нитевидных и пластинчатых нанокристаллов. Обнаружено, что при росте нитевидных нанокристаллов в направлении [110] граница раздела катализатора и нитевидного нанокристалла содержит две грани: InAs(11$\bar1$) и InAs(111). Предложена простая геометрическая модель роста нитевидного нанокристалла, объясняющая стабильность данных граней, и получены оценки для отношения скоростей движения ступеней на них.

Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, пластинчатые нанокристаллы, механизм роста пар–кристалл–кристалл, полупроводники A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$.

Поступила в редакцию: 27.09.2023
Исправленный вариант: 27.09.2023
Принята в печать: 18.12.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.07.57466.19742

Реферативные базы данных:

•