Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении

А. В. Рожков, В. Х. Кайбышев, А. А. Торопов, П. Б. Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: С помощью метода коррелированного во времени счета одиночных фотонов исследована кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при субнаносекундном переключении, инициированном быстрым увеличением обратного напряжения. Переключение происходит по локальным токовым каналам. Показано, что интенсивность излучения достигает максимального значения за время менее 80 ps, что дает оценку сверху для времени переключения диода в проводящее состояние. Спад интенсивности излучения после переключения происходит за аномально малое время 250–700 ps. Субнаносекундный спад интенсивности излучения свидетельствует о высокой концентрации неравновесных носителей в проводящих каналах и достижении порога стимулированного излучения. Стимулированный характер излучения подтверждается сужением спектра рекомбинации.

Ключевые слова: высоковольтные GaAs-диоды, рекомбинационное излучение.

Поступила в редакцию: 05.10.2023
Исправленный вариант: 05.10.2023
Принята в печать: 05.12.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.06.57299.19751

Реферативные базы данных:

•