Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP

Н. С. Потапович, А. В. Малевская, Ф. Ю. Солдатенков, В. П. Хвостиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнены исследования влияния режимов формирования контактных систем на основе Pd–Ge–Au и Au(Ge)–Ni–Au к InGaAsP $n$-типа проводимости и NiCr–Ag–Au к InGaAsP и InP $p$-типа проводимости на величину удельного переходного контактного сопротивления. Достигнуты низкие значения удельного переходного контактного сопротивления $\sim$10$^{-7}\Omega$ $\cdot$ cm$^2$ при использовании контактной системы Au(Ge)–Ni–Au (при температуре вжигания 420–440$^\circ$C) и $\sim$10$^{-6}\Omega$ $\cdot$ cm$^2$ при напылении Pd–Ge–Au (при пониженных температурах вжигания $<$ 200$^\circ$C) для составов твердого раствора $n$-InGaAsP с низким содержанием фосфора. Для образцов $p$-InGaAsP с контактной системой NiCr–Ag–Au минимальное контактное сопротивление составило $\sim$10$^{-6}\Omega$ $\cdot$ cm$^2$ при температурах отжига 460$^\circ$C.

Ключевые слова: контактные системы, InGaAsP/InP, термический отжиг, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи.

Поступила в редакцию: 06.10.2023
Исправленный вариант: 27.11.2023
Принята в печать: 28.11.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.05.57181.19757

Реферативные базы данных:

•