Полупроводниковые соединения ванадия как темплат для формирования микропористых частиц различной морфологии

Д. А. Еуров, Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, Д. А. Курдюков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Соединения ванадия – V$_2$O$_5$ и NH$_4$VO$_3$ – использованы в качестве темплата для получения пористого кремнезема. В едином технологическом цикле получены как субмикронные сферические микропористые частицы SiO$_2$, так и гибридные частицы типа ядро-микропористая оболочка. В результате селективного травления материала ядра ($\alpha$-V$_2$O$_5$) получены частицы SiO$_2$ с полым ядром.

Ключевые слова: V$_2$O$_5$, NH$_4$VO$_3$, кремнезем, микропоры, темплат, ядро-оболочка, полое ядро.

Поступила в редакцию: 23.06.2023
Исправленный вариант: 03.11.2023
Принята в печать: 07.11.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.03.57038.19661

Реферативные базы данных:

•